半导体

特点

• 高精度制造：
  • 制程精度达纳米级（先进节点≤3nm），光刻技术分辨率≤0.1μm（EUV 光刻机），刻蚀均匀性≥95%（硅刻蚀偏差≤2%）。
• 高洁净要求：
  • 生产环境需 ISO 1 级洁净室（0.1μm 颗粒≤10 个 /m³），人员穿戴连体无尘服（发尘量≤1000 个 /min），设备表面粗糙度 Ra≤0.1μm。
• 材料高纯度：
  • 晶圆纯度≥99.9999999%（9N 级硅），电子气体纯度≥99.999%（MO 级），光刻胶金属离子≤1ppm（ICP-MS 检测）。
• 复杂工艺集成：
  • 多层薄膜沉积（如 ALD 技术，膜厚控制 ±1%）、3D 封装（TSV 密度≥10⁶/cm²），热管理要求结温≤125℃（芯片级）。

范围

• 核心产品：
  • 集成电路：CPU（晶体管密度≥100 亿个）、GPU（算力≥10TFLOPS）、存储器（NAND 堆叠层数≥500 层）；
  • 分立器件：IGBT（耐压≥1200V）、MOSFET（导通电阻≤5mΩ）、功率二极管（反向恢复时间≤50ns）。
• 关键环节：
  • 前端工艺：扩散（杂质浓度梯度≤5%）、离子注入（能量精度 ±1%）、薄膜沉积（应力≤100MPa）；
  • 后端封装：倒装焊（焊点直径≤50μm）、TSV 填充（空洞率≤0.1%）、可靠性测试（HALT 试验 – 40℃~+125℃循环）。
• 应用领域：
  • 消费电子（手机 SoC、AIoT 芯片）、汽车电子（MCU、ADAS 芯片）、数据中心（服务器 CPU、FPGA）；
  • 工业控制（PLC 芯片、传感器 ASIC）、航空航天（抗辐射芯片，单粒子翻转率≤10⁻⁶/bit・day）。
• 不适用场景：
  • 非洁净环境下的芯片手工加工；
  • 未经过 ESD 防护（如湿度＜30% RH 且未接地）的操作流程。