研究用高纯度硅晶片2×N型

研究用高纯度硅晶片2×N型

研究用高纯度硅晶片: 作为研究.开发用途有一定实际业绩,供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。

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研究用高纯度硅晶片2×N型
研究用高纯度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER
作为研究.开发用途有一定实际业绩,供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。
品牌:其他(进口)

研究用高纯度硅晶片2×N型规格:
● 制造方法:CZ法
● 平面方位:100
● OF位置:110
● 电阻值:0.1~100Ω.cm?※低电阻:≦0.02Ω.cm、高电阻:≧500Ω.cm
● 粒子:2-960-01~不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下

研究用高纯度硅晶片2×N型

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