在半导体器件遭受静电放电（ESD）后，失效表现主要可归结为两种情况：
1. 介质击穿导致的失效：半导体器件中包含多种介质材料，其介电性能因材料种类和厚度不同而异。当静电脉冲电压超过介质的耐压能力时，可能导致介质击穿。这种击穿会直接损坏器件，尤其容易发生在以下情况：
防静电手套是由特殊的防静电聚酯布制成，具备导电纤维，可避免静电的产生和损害。其导电纤维之间的距离可以选择，适用于电子、半导体等静电敏感环境，有助于维护设备完整性。与普通手套不同，防静电手套是关键的静电防护工具，能够确保工作环境的安全性和产品质量。
- 栅氧化层介质击穿：对于MOS或IGBT等器件，栅氧化层相对较薄，如果静电电压超过其耐压能力，可能发生击穿。
- 金属层间介质击穿：集成电路需要多层金属布线，金属层之间的介质层可能击穿，导致金属短路，损坏器件。
- 多晶硅上的介质击穿：多晶硅用于栅极连接或电阻，其上通常有金属布线，介质层击穿可能发生。
- 场介质层击穿：场介质层通常较厚，但如果受损，静电击穿可能更容易发生。
2. 大电流导致的器件失效：不同半导体结构和材料具有不同的电流承受能力。当静电电流超过器件能够承受的电流时，可能导致器件过热烧毁。具体情况包括：
- PN结过流损伤：PN结通常能承受较大的正向电流，但反向击穿时会产生大电流。如果静电电流超过了其正向或反向承受能力，可能导致PN结局部过热，引发短路。
- 金属导线烧毁：尽管金属导线具有良好的导电性，但某些连接线的电流承受能力有限。当静电电流超过其承受能力时，可能导致导线过热烧毁。
在使用半导体器件时，必须谨慎处理，特别是在防止ESD损坏方面，采取适当的防护措施和操作方法至关重要，以确保器件的正常工作和可靠性。无尘防静电耗材了解更多