Tag Archives: 晶圆清洗

  • 高精度需求：去除≥0.1μm 颗粒、金属离子（≤1ppb）、有机物（TOC≤10ppb），确保晶圆表面洁净度达 ISO 1 级标准。
  • 多工艺组合：
    • 湿法清洗：SC1/SC2（HF/H₂O₂/H₂O）去除颗粒与有机物，兆声波（800kHz）增强剥离效率；
    • 干法清洗：等离子体（如 O₂/Ar）刻蚀残留污染物，避免液体残留。
  • 材料兼容性：使用高纯度化学品（UPSSS 级）与去离子水（电阻率≥18.2MΩ・cm），防止晶圆氧化层损伤。


应用范围：
半导体制造全流程（光刻前、刻蚀后、薄膜沉积前后），涵盖逻辑芯片、存储芯片（如 DRAM/NAND）、功率器件等晶圆制程，确保器件良率≥95%。