描述

研究用高纯度硅晶片4×P型(低电阻)
研究用高纯度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER
作为研究.开发用途有一定实际业绩，供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。
品牌：其他(进口)

研究用高纯度硅晶片4×P型(低电阻)规格：
● 制造方法：CZ法
● 平面方位：100
● OF位置：110
● 电阻值：0.1～100Ω.cm?※低电阻：≦0.02Ω.cm、高电阻：≧500Ω.cm
● 粒子：2-960-01～不论粒子、 2-960-51～62／≧0.3um、10个以下

研究用高纯度硅晶片4×P型(低电阻)